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FIPOS相关论文
P沟MOSFET/FIPOS的γ射线总剂量辐照特性
采用高选择和自终止多孔氧化硅全隔离技术的制备了高质量的SOI材料,研究了在该材料上采用2μmCMOS工艺制备的不同沟道长度的P沟MOSFET的^60Coγ射线总剂量......
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